Name: NVTFWS8D1N08HTAG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVTFWS8D1N08HTAGTR-ND
Price: 0.90804 CHF
Availability: InStock

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NVTFWS8D1N08HTAG
Codice DigiKey	488-NVTFWS8D1N08HTAGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-NVTFWS8D1N08HTAGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-NVTFWS8D1N08HTAGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	NVTFWS8D1N08HTAG
Descrizione	80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 14A (Ta), 61A (Tc) 3,8W (Ta), 75W (Tc) A montaggio superficiale 8-WDFNW (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14A (Ta), 61A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,3mohm a 16A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 270µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1450 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,8W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-WDFNW (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)