Name: NXH010P120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH010P120M3F1PTG-ND
Price: 74.28632 CHF
Availability: InStock

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NXH010P120M3F1PTG
Codice DigiKey	5556-NXH010P120M3F1PTG-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	NXH010P120M3F1PTG
Descrizione	MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 105 A (Tc) 272W (Tj) Montaggio su telaio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Carburo di silicio (SiC)
Configurazione	2 canali N (semiponte)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	105 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	14,5mohm a 90A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 45mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	314nC a 18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6451pF a 800V
Potenza - Max	272W (Tj)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	-
Codice componente base	NXH010

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