MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 114 A (Tc) 250W (Tj) Montaggio su telaio
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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 114 A (Tc) 250W (Tj) Montaggio su telaio
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH010P120MNF1PTNG

Codice DigiKey
5556-NXH010P120MNF1PTNG-ND
Produttore
Codice produttore
NXH010P120MNF1PTNG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 114 A (Tc) 250W (Tj) Montaggio su telaio
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,3V a 40mA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
454nC a 20V
Confezionamento
Vassoio
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4707pF a 800V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
250W (Tj)
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Contenitore/involucro
Modulo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
114 A (Tc)
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
14mohm a 100A, 20V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
NXH010P120MNF1PNGonsemi295556-NXH010P120MNF1PNG-NDFr. 103.52000Equivalente parametrico
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1Fr. 98.40000Fr. 98.40
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