MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Montaggio su telaio
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MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Montaggio su telaio
Module
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH020P120MNF1PG

Codice DigiKey
5556-NXH020P120MNF1PG-ND
Produttore
Codice produttore
NXH020P120MNF1PG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 51 A (Tc) 119W (Tj) Montaggio su telaio
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,3V a 20mA
Produttore
onsemi
Carica del gate (Qg) max a Vgs
213,5nC a 20V
Confezionamento
Vassoio
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2420pF a 800V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
119W (Tj)
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Contenitore/involucro
Modulo
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
51 A (Tc)
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
30mohm a 50A, 20V
Classificazioni ambientali e di esportazione
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