Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD12N06RLESM9ATR-ND
Price: 1.45935 CHF
Availability: InStock

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RFD12N06RLESM9A
Codice DigiKey	RFD12N06RLESM9ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) RFD12N06RLESM9ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RFD12N06RLESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	RFD12N06RLESM9A
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 18 A (Tc) 49W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Serie UltraFET™	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 485 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 49W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base RFD12N06
RDSon (max) a Id, Vgs 63mohm a 18A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.34364	Fr. 859.10
5’000	Fr. 0.31915	Fr. 1’595.75

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.45935

RFD12N06RLESM9A