
SI4532DY | |
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Codice DigiKey | SI4532DYTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4532DYCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4532DYDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4532DY |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 8 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 3,9 A, 3,5 A 900mW A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 235pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 900mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9 A, 3,5 A | Contenitore del fornitore 8-SOIC |
RDSon (max) a Id, Vgs 65mohm a 3,9A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | 47’694 | IRF7309PBFCT-ND | Fr. 1.25000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.29000 | Fr. 1.29 |
| 10 | Fr. 0.81100 | Fr. 8.11 |
| 100 | Fr. 0.54030 | Fr. 54.03 |
| 500 | Fr. 0.42418 | Fr. 212.09 |
| 1’000 | Fr. 0.38679 | Fr. 386.79 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.32366 | Fr. 809.15 |
| 5’000 | Fr. 0.30028 | Fr. 1’501.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.29000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.39449 |


