Name: SMMBFJ177LT1G
Brand: onsemi
SKU: SMMBFJ177LT1GOSTR-ND
Price: 0.24863 CHF
Availability: InStock

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SMMBFJ177LT1G
Codice DigiKey	SMMBFJ177LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SMMBFJ177LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SMMBFJ177LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SMMBFJ177LT1G
Descrizione	JFET P-CH 30V SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	51 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	JFET Canale P 30 V 225 mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SMMBFJ177LT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor JFET	Resistenza - RDSon 300 Ohms
Produttore onsemi	Potenza - Max 225 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tipo FET Canale P	Qualifica AEC-Q101
Tensione - Rottura (V(BR)GSS) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Soglia (VGS off) a Id 800 mV @ 10 nA	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11pF a 10V (VGS)	Codice componente base SMMBFJ177

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