SMMBTH10-4LT3G onsemi | Transistor RF bipolari

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SMMBTH10-4LT3G
Codice DigiKey	488-SMMBTH10-4LT3GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-SMMBTH10-4LT3GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-SMMBTH10-4LT3GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SMMBTH10-4LT3G
Descrizione	RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 25V 800MHz 225mW A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SMMBTH10-4LT3G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari	Potenza - Max 225mW
Produttore onsemi	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 4mA, 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Stato componente Obsoleto	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tipo di transistor NPN	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 25V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Frequenza - Transizione 800MHz	Codice componente base SMMBTH10

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BFP420H6327XTSA1	Infineon Technologies	3’820	BFP420H6327XTSA1CT-ND	Fr. 0.39000	Simile

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.39997

SMMBTH10-4LT3G