Name: SVD5867NLT4G
Brand: onsemi
SKU: SVD5867NLT4GOSTR-ND
Price: 1.00533 CHF
Availability: InStock

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SVD5867NLT4G
Codice DigiKey	SVD5867NLT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SVD5867NLT4GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SVD5867NLT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	SVD5867NLT4G
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Tempi di consegna standard del produttore	28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 22 A (Tc) 3,3W (Ta), 43W (Tc) A montaggio superficiale DPAK-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SVD5867NLT4G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 675 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 43W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 22 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore DPAK-3
RDSon (max) a Id, Vgs 39mohm a 11A, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base SVD5867

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
2’500	Fr. 0.25625	Fr. 640.62

Contenitore standard del produttore

Nastro pre-tagliato (CT)

Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.93000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.00533

SVD5867NLT4G