Name: UF3C120080B7S
Brand: onsemi
SKU: 5556-UF3C120080B7STR-ND
Price: 16.19338 CHF
Availability: InStock

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UF3C120080B7S
Codice DigiKey	5556-UF3C120080B7STR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5556-UF3C120080B7SCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5556-UF3C120080B7SDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	UF3C120080B7S
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 28,8A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23 nC @ 12 V
Produttore onsemi	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 754 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (SiCJFET cascode)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore D2PAK-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28,8A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 105mohm a 20A, 12V	Codice componente base UF3C120080
Vgs(th) max a Id 6V a 10mA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 7.67315	Fr. 6’138.52

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 14.98000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 16.19338

UF3C120080B7S