PJA3411-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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PJA3411-AU_R2_000A1
Codice DigiKey	3757-PJA3411-AU_R2_000A1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJA3411-AU_R2_000A1
Descrizione	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,1 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 3,1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.4 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	416 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	PJA3411