PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

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PJD1NA50_L2_00001
Codice DigiKey	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJD1NA50_L2_00001
Descrizione	500V N-CHANNEL MOSFET
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 1 A (Ta) 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	500 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	9ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	95 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	25W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	PJD1NA50