Name: PJMB210N65EC_R2_00601
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJMB210N65EC_R2_00601TR-ND
Price: 2.41063 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 19 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263

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PJMB210N65EC_R2_00601
Codice DigiKey	3757-PJMB210N65EC_R2_00601TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJMB210N65EC_R2_00601DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJMB210N65EC_R2_00601
Descrizione	650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 19 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale TO-263
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Panjit International Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1412 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 210mohm a 9,5A, 10V	Codice componente base PJMB210

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 2.23000	Fr. 2.23
10	Fr. 1.43600	Fr. 14.36
100	Fr. 0.98550	Fr. 98.55

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 0.74931	Fr. 599.45

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.41063

PJMB210N65EC_R2_00601

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