Equivalente parametrico

PJQ1906_R1_00001 | |
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Codice DigiKey | 3757-PJQ1906_R1_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PJQ1906_R1_00001 |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 3-DFN (1x0,6) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 1,2V, 4,5V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,2ohm a 300mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 0.9 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max) | ±10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 45 pF @ 10 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 3-DFN (1x0,6) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |


