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Prezzo unitario : Fr. 0.04312
Scheda tecnica
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PJQ1906_R1_00001

Codice DigiKey
3757-PJQ1906_R1_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJQ1906_R1_00001
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 300mA (Ta) 700mW (Ta) A montaggio superficiale 3-DFN (1x0,6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,2V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,2ohm a 300mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
45 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
3-DFN (1x0,6)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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