Name: PJQ5412_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ5412_R2_00001TR-ND
Price: 0.62698 CHF
Availability: InStock

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PJQ5412_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJQ5412_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJQ5412_R2_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJQ5412_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ5412_R2_00001
Descrizione	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Tempi di consegna standard del produttore	36 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta), 45 A (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Produttore Panjit International Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.1 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 660 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 40W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta), 45 A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN5060-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 10A, 10V	Codice componente base PJQ5412

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.13587	Fr. 407.61
6’000	Fr. 0.12740	Fr. 764.40

Contenitore standard del produttore

Nastro pre-tagliato (CT)

Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.58000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.62698

PJQ5412_R2_00001