Name: PJQ5458A_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ5458A_R2_00001TR-ND
Price: 0.19112 CHF
Availability: OutOfStock

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PJQ5458A_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJQ5458A_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ5458A_R2_00001
Descrizione	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 4,4A (Ta), 16A (Tc) 2W (Ta), 27W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,4A (Ta), 16A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	50mohm a 8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	815 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN5060-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	PJQ5458

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.17680	Fr. 530.40
6’000	Fr. 0.16263	Fr. 975.78
9’000	Fr. 0.15542	Fr. 1’398.78
15’000	Fr. 0.14731	Fr. 2’209.65
21’000	Fr. 0.14251	Fr. 2’992.71
30’000	Fr. 0.14141	Fr. 4’242.30