Name: PJQ5472A_R2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ5472A_R2_00001TR-ND
Price: 0.18593 CHF
Availability: OutOfStock

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PJQ5472A_R2_00001
Codice DigiKey	3757-PJQ5472A_R2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJQ5472A_R2_00001
Descrizione	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 2,9A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 41W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,9A (Ta), 13A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	115mohm a 6,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1413 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 41W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DFN5060-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	PJQ5472

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 0.17200	Fr. 516.00
6’000	Fr. 0.15814	Fr. 948.84
9’000	Fr. 0.15108	Fr. 1’359.72
15’000	Fr. 0.14315	Fr. 2’147.25
21’000	Fr. 0.13846	Fr. 2’907.66
30’000	Fr. 0.13680	Fr. 4’104.00