MOSFET - Array 20V 5,2A (Ta), 3,4A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6
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PJS6602_S2_00001

Codice DigiKey
3757-PJS6602_S2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PJS6602_S2_00001
Descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 5,2A (Ta), 3,4A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
1,2V a 250µA
Produttore
Panjit International Inc.
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4,1nC a 4,5V, 7nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
396pF a 10V, 522pF a 10V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Potenza - Max
1,25W (Ta)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
Complementare canale N e P
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Contenitore/involucro
SOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5,2A (Ta), 3,4A (Ta)
Contenitore del fornitore
SOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs
36mohm a 5,2A, 4,5V, 82mohm a 3,4A, 4,5V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
10’000Fr. 0.12118Fr. 1’211.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.12118
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.13100