
PJS6602_S2_00001 | |
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Codice DigiKey | 3757-PJS6602_S2_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PJS6602_S2_00001 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 5,2A (Ta), 3,4A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA |
Produttore Panjit International Inc. | Carica del gate (Qg) max a Vgs 4,1nC a 4,5V, 7nC a 4,5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 396pF a 10V, 522pF a 10V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Potenza - Max 1,25W (Ta) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione Complementare canale N e P | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore/involucro SOT-23-6 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,2A (Ta), 3,4A (Ta) | Contenitore del fornitore SOT-23-6 |
RDSon (max) a Id, Vgs 36mohm a 5,2A, 4,5V, 82mohm a 3,4A, 4,5V | Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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| 10’000 | Fr. 0.12118 | Fr. 1’211.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.12118 |
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| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.13100 |

