Name: PJT138L_R1_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJT138L_R1_00001TR-ND
Price: 0.44321 CHF
Availability: InStock

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PJT138L_R1_00001
Codice DigiKey	3757-PJT138L_R1_00001TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 3757-PJT138L_R1_00001CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 3757-PJT138L_R1_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Panjit International Inc.
Codice produttore	PJT138L_R1_00001
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT363
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 200mA (Ta) 350mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-363
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Panjit International Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200mA (Ta)
RDSon (max) a Id, Vgs	4,2ohm a 200mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,7nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15pF a 15V
Potenza - Max	350mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Contenitore del fornitore	SOT-363
Codice componente base	PJT138

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Nastrato in bobina (TR)