2SK3576-T1B-AT Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET singoli

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2SK3576-T1B-AT
Codice DigiKey	2SK3576-T1B-AT-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	2SK3576-T1B-AT
Descrizione	MOSFET N-CH 20V SC-96 SOT-23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 4 A (Ta) A montaggio superficiale SC-96-3, Mini Mold sottile
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 2A, 4,5V
Produttore Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) max a Id 1,5V a 1mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.3 nC @ 4 V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 250 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Contenitore del fornitore SC-96-3, Mini Mold sottile
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore/involucro SC-96
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4 A (Ta)	Codice componente base 2SK3576

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