HAT2092R-EL-E Renesas Electronics Corporation | Array FET, MOSFET

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HAT2092R-EL-E
Codice DigiKey	HAT2092R-EL-E-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	HAT2092R-EL-E
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 11A 3W A montaggio superficiale 8-SOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HAT2092R-EL-E Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 22nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400pF a 10V
Stato componente Obsoleto	Potenza - Max 3W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore del fornitore 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 11A	Codice componente base HAT2092
RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 5,5A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SH8KA4TB	Rohm Semiconductor	40’380	SH8KA4TBCT-ND	Fr. 1.22000	Consigliato dal produttore
DMG4800LSD-13	Diodes Incorporated	0	DMG4800LSD-13DICT-ND	Fr. 0.70000	Simile
DMN3033LSD-13	Diodes Incorporated	76	31-DMN3033LSD-13CT-ND	Fr. 0.91000	Simile
SI4202DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	14’295	SI4202DY-T1-GE3CT-ND	Fr. 1.61000	Simile

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