NP180N04TUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Prodotti a semiconduttore discreti

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NP180N04TUG-E1-AY
Codice DigiKey	NP180N04TUG-E1-AY-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	NP180N04TUG-E1-AY
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 180 A (Tc) 1,8W (Ta), 288W (Tc) A montaggio superficiale TO-263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NP180N04TUG-E1-AY Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	180 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5mohm a 90A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	390 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	25700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,8W (Ta), 288W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263-7
Contenitore/involucro	TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)