Name: RBA100N04DANS-4UB02#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA100N04DANS-4UB02#HB0TR-ND
Price: 0.37684 CHF
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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RBA100N04DANS-4UB02#HB0
Codice DigiKey	559-RBA100N04DANS-4UB02#HB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	RBA100N04DANS-4UB02#HB0
Descrizione	RBA100N04DANS-4UB02#HB0
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4160 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-DFN (4,9x5,75)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN

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Nastrato in bobina (TR)