Novità in DigiKey
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RBE020N04R0SZN6#HB0

Codice DigiKey
559-RBE020N04R0SZN6#HB0TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
RBE020N04R0SZN6#HB0
Descrizione
POWER:POWER MOSFETS
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale 8-DFN (4,9x5,75)
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4160 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-DFN (4,9x5,75)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.34232Fr. 1’711.60
10’000Fr. 0.33000Fr. 3’300.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.34232
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.37005