LDPAK
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LDPAK
LDPAK

RJK0629DPE-00#J3

Codice DigiKey
RJK0629DPE-00#J3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
RJK0629DPE-00#J3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 85 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale LDPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RJK0629DPE-00#J3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
85 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4,5mohm a 43A, 10V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4100 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
100W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LDPAK
Contenitore/involucro
SC-83
Codice componente base
RJK0629
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