8-PowerWDFN
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RJK2057DPA-00#J0

Codice DigiKey
RJK2057DPA-00#J0-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
RJK2057DPA-00#J0
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 20A 8WPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 200 V 20 A (Ta) 30W (Tc) A montaggio superficiale 8-WPAK (3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RJK2057DPA-00#J0 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
20 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id
-
Carica del gate (Qg) max a Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1250 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-WPAK (3)
Contenitore/involucro
8-PowerWDFN
Codice componente base
RJK2057
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