


RJK5013DPE-00#J3 | |
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Codice DigiKey | RJK5013DPE-00#J3-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | RJK5013DPE-00#J3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 500 V 14 A (Ta) 100W (Tc) A montaggio superficiale LDPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RJK5013DPE-00#J3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 465mohm a 7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | - | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 38 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1450 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | LDPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |


