
TP65H070G4LSGB-TR | |
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Codice DigiKey | 1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H070G4LSGB-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H070G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | TP65H070G4LSGB-TR |
Descrizione | GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (8x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 85mohm a 16A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4,6V a 700µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 8.4 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 600 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN (8x8) | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 8.65000 | Fr. 8.65 |
10 | Fr. 5.52900 | Fr. 55.29 |
100 | Fr. 5.49580 | Fr. 549.58 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 4.49000 | Fr. 13’470.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 8.65000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.35065 |