PQFN_8x8
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

TP65H070LSG

Codice DigiKey
TP65H070LSG-ND
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Codice produttore
TP65H070LSG
Descrizione
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 25 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Renesas Electronics Corporation
Serie
TP65H070L
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
25 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
85mohm a 16A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,8V a 700µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
600 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
3-PQFN (8x8)
Contenitore/involucro
3-PowerDFN
Codice componente base
TP65H070
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 in magazzino
A causa dei problemi con le forniture, non siamo in grado di accettare ordini arretrati e i tempi di consegna non sono disponibili al momento.