TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Prodotti a semiconduttore discreti

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TP65H300G4LSG-TR
Codice DigiKey	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP65H300G4LSG-TR
Descrizione	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 6,5 A (Tc) 21W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TP65H300G4LSG-TR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	8V
RDSon (max) a Id, Vgs	312mohm a 5A, 8V
Vgs(th) max a Id	2,6V a 500µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (max)	±18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	760 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	21W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	3-PQFN (8x8)
Contenitore/involucro	3-PowerDFN
Codice componente base	TP65H300