TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | Prodotti a semiconduttore discreti

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TP90H050WS
Codice DigiKey	1707-TP90H050WS-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TP90H050WS
Descrizione	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 900 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	900 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	34 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	63mohm a 22A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,4V a 700µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	980 pF @ 600 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	119W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-3
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	TP90H050