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TPH3207WS | |
|---|---|
Codice DigiKey | TPH3207WS-ND |
Produttore | |
Codice produttore | TPH3207WS |
Descrizione | GANFET N-CH 650V 50A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 50 A (Tc) 178W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TPH3207WS Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,65V a 700µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 42 nC @ 8 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±18V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2197 pF @ 400 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 178W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 41mohm a 32A, 8V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| TP65H035WS | Renesas Electronics Corporation | 0 | TP65H035WS-ND | Fr. 18.40000 | Simile |
| IXKH70N60C5 | IXYS | 210 | 238-IXKH70N60C5-ND | Fr. 23.15000 | Simile |
| IXTH80N65X2 | IXYS | 115 | IXTH80N65X2-ND | Fr. 14.26000 | Simile |
| SIHG73N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 348 | SIHG73N60AE-GE3-ND | Fr. 9.88000 | Simile |
| STW65N65DM2AG | STMicroelectronics | 379 | 497-16127-5-ND | Fr. 8.82000 | Simile |








