TP65H035G4WSQA
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
TP65H035G4WSQA
Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology

TPH3207WS

Codice DigiKey
TPH3207WS-ND
Produttore
Codice produttore
TPH3207WS
Descrizione
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 50 A (Tc) 178W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
TPH3207WS Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
41mohm a 32A, 8V
Vgs(th) max a Id
2,65V a 700µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (max)
±18V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2197 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
178W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-3
Contenitore/involucro
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione.