TPH3208LDG Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET singoli

Canale N 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8)

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TPH3208LDG
Codice DigiKey	TPH3208LDG-ND
Produttore	Renesas Electronics Corporation
Codice produttore	TPH3208LDG
Descrizione	GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,6V a 300µA
Produttore Renesas Electronics Corporation	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 8 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±18V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 760 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore del fornitore 3-PQFN (8x8)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro 3-PowerDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 130mohm a 13A, 8V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXFA22N65X2	IXYS	4’207	238-IXFA22N65X2-ND	Fr. 6.09000	Simile

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