

TPH3208LSG | |
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Codice DigiKey | TPH3208LSG-ND |
Produttore | |
Codice produttore | TPH3208LSG |
Descrizione | GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) A montaggio superficiale 3-PQFN (8x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 130mohm a 14A, 8V | |
Vgs(th) max a Id | 2,6V a 300µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±18V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 760 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 3-PQFN (8x8) | |
Contenitore/involucro |