BSM300D12P4G101
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BSM300D12P4G101
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM400D12P2G003

Codice DigiKey
846-BSM400D12P2G003-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
BSM400D12P2G003
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 400A MODULE
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 400 A (Tc) 2450W (Tc) Modulo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
400 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
-
Vgs(th) max a Id
4V a 85mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
38000pF a 10V
Potenza - Max
2450W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
Modulo
Codice componente base
BSM400
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