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2SB1260T100P

Codice DigiKey
2SB1260T100P-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
2SB1260T100P
Descrizione
TRANS PNP 80V 1A MPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 80 V 1 A 100MHz 2 W A montaggio superficiale MPT3
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) max
1 A
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
80 V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
400mV a 50mA, 500mA
Corrente - Interruzione collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
82 a 100mA, 3V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-243AA
Contenitore del fornitore
MPT3
Codice componente base
2SB1260
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 0.23448Fr. 234.48
2’000Fr. 0.21368Fr. 427.36
3’000Fr. 0.20307Fr. 609.21
5’000Fr. 0.19115Fr. 955.75
7’000Fr. 0.18409Fr. 1’288.63
10’000Fr. 0.17723Fr. 1’772.30
25’000Fr. 0.16700Fr. 4’175.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.23448
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.25347