Name: 2SC5876T106Q
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 2SC5876T106QTR-ND
Price: 0.65941 CHF
Availability: InStock

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2SC5876T106Q
Codice DigiKey	2SC5876T106QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SC5876T106QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2SC5876T106QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	2SC5876T106Q
Descrizione	TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 60 V 500 mA 300MHz 200 mW A montaggio superficiale UMT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SC5876T106Q Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 120 a 50mA, 2V
Produttore Rohm Semiconductor	Potenza - Max 200 mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 300MHz
Stato componente Non per nuovi progetti	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 500 mA	Contenitore/involucro SC-70, SOT-323
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 60 V	Contenitore del fornitore UMT3
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 10mA, 100mA	Codice componente base 2SC5876
Corrente - Interruzione collettore (max) 1µA (ICBO)

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
2SC5876T106R	Rohm Semiconductor	1’098	2SC5876T106RCT-ND	Fr. 0.61000	Equivalente parametrico
2SC5876U3T106	Rohm Semiconductor	30’225	846-2SC5876U3T106CT-ND	Fr. 0.45000	Equivalente parametrico
MMSTA05-7-F	Diodes Incorporated	5’638	MMSTA05-FDICT-ND	Fr. 0.32000	Diretto
PBSS4160U,115	Nexperia USA Inc.	14’985	1727-5745-1-ND	Fr. 0.30000	Diretto
BC817-16W RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	11’800	1801-BC817-16WRFGCT-ND	Fr. 0.18000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.61000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.65941

2SC5876T106Q