Name: 2SK3065T100
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 2SK3065T100TR-ND
Price: 0.9729 CHF
Availability: InStock

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2SK3065T100
Codice DigiKey	2SK3065T100TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 2SK3065T100CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 2SK3065T100DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	2SK3065T100
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale MPT3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	2SK3065T100 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	2,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	320mohm a 1A, 4V
Vgs(th) max a Id	1,5V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	160 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	MPT3
Contenitore/involucro	TO-243AA
Codice componente base	2SK3065

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