Name: AG540EGS4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG540EGS4FRATCBTR-ND
Price: 3.09166 CHF
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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AG540EGS4FRATCB
Codice DigiKey	846-AG540EGS4FRATCBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-AG540EGS4FRATCBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-AG540EGS4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	AG540EGS4FRATCB
Descrizione	PCH -40V -120A, HPLF5060T5LSAH,
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale HPLF5060T5LSAH
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 130 nC @ 10 V
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) +5V, -20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6750 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore HPLF5060T5LSAH
RDSon (max) a Id, Vgs 4,6mohm a 120A, 10V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
Vgs(th) max a Id 2.5V @ 1.7mA