BSM180D12P2E002
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BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Codice DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
BSM180D12P2E002
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
204 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
-
Vgs(th) max a Id
4V a 35,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
18000pF a 10V
Potenza - Max
1360W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
Modulo
Codice componente base
BSM180
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