BSM300D12P4G101
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BSM600D12P4G103

Codice DigiKey
846-BSM600D12P4G103-ND
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
BSM600D12P4G103
Descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 567A MODULE
Tempi di consegna standard del produttore
24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 567A (Tc) 1,78kW (Tc) Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Scatola
Stato componente
Attivo
Tecnologia
Carburo di silicio (SiC)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
567A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
-
Vgs(th) max a Id
4,8V a 291,2mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
59000pF a 10V
Potenza - Max
1,78kW (Tc)
Temperatura di funzionamento
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Contenitore/involucro
Modulo
Contenitore del fornitore
Modulo
Codice componente base
BSM600
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