Name: BSS670AHZGT116
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSS670AHZGT116TR-ND
Price: 0.50807 CHF
Availability: InStock

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BSS670AHZGT116
Codice DigiKey	846-BSS670AHZGT116TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-BSS670AHZGT116CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-BSS670AHZGT116DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	BSS670AHZGT116
Descrizione	NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SST3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 10µA
Produttore Rohm Semiconductor	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 47 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 650mA (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Contenitore del fornitore SST3
RDSon (max) a Id, Vgs 680mohm a 650mA, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.47000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.50807

BSS670AHZGT116