
BST70B2P4K01-VC | |
|---|---|
Codice DigiKey | 846-BST70B2P4K01-VC-ND |
Produttore | |
Codice produttore | BST70B2P4K01-VC |
Descrizione | HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE |
Tempi di consegna standard del produttore | 27 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 70 A (Tc) 385W (Tc) Foro passante 20-HSDIP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Scatola | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 4 canale N (ponte intero) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 70 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 25mohm a 70A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 4,8V a 22,2mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 170nC a 18V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4500pF a 800V | |
Potenza - Max | 385W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore/involucro | Modulo 20-PowerDIP (1,508", 38,30mm) | |
Contenitore del fornitore | 20-HSDIP |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 86.63000 | Fr. 86.63 |
| 10 | Fr. 72.74300 | Fr. 727.43 |
| 60 | Fr. 66.69933 | Fr. 4’001.96 |
| 120 | Fr. 65.06475 | Fr. 7’807.77 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 86.63000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 93.64703 |




