Name: EM6K31GT2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: EM6K31GT2RTR-ND
Price: 0.4324 CHF
Availability: InStock

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EM6K31GT2R
Codice DigiKey	EM6K31GT2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) EM6K31GT2RCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) EM6K31GT2RDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	EM6K31GT2R
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 250mA 120mW A montaggio superficiale EMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EM6K31GT2R Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Gate livello logico, comando 2,5V
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	250mA
RDSon (max) a Id, Vgs	2,4ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15pF a 25V
Potenza - Max	120mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	EMT6
Codice componente base	EM6K31

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Nastrato in bobina (TR)