Name: EMB51T2R
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: EMB51T2RTR-ND
Price: 0.3243 CHF
Availability: OutOfStock

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EMB51T2R
Codice DigiKey	EMB51T2RTR-ND - Nastrato in bobina (TR) EMB51T2RCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) EMB51T2RDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	EMB51T2R
Descrizione	TRANS PREBIAS 2PNP 50V 30MA EMT6
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 30mA 250MHz 150mW A montaggio superficiale EMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	EMB51T2R Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	2 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Corrente - Collettore (Ic) max	30mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	50V
Resistore - Base (R1)	22kohm
Resistore - Base emettitore (R2)	22kohm
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	60 a 5mA, 10V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	150mV a 500µA, 5mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-563, SOT-666
Contenitore del fornitore	EMT6
Codice componente base	EMB51

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Nastrato in bobina (TR)