GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor | FET, MOSFET singoli

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GNP1070TC-ZE2
Codice DigiKey	846-GNP1070TC-ZE2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 846-GNP1070TC-ZE2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 846-GNP1070TC-ZE2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	GNP1070TC-ZE2
Descrizione	ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 20 A (Tc) 56W (Tc) A montaggio superficiale DFN8080K
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Category Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,4V a 18mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.2 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -10V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 200 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN8080K
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 5,5V	Contenitore/involucro 8-PowerDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 98mohm a 1,9A, 5,5V	Codice componente base GNP1070

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
GNP2070TEC-ZE2	Rohm Semiconductor	2’636	846-GNP2070TEC-ZE2CT-ND	Fr. 10.90000	Consigliato dal produttore

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GNP1070TC-ZE2