
HP8M31TB1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | HP8M31TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) HP8M31TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HP8M31TB1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | HP8M31TB1 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 8,5 A (Ta) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | HP8M31TB1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | Canale N e P | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 60V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 8,5 A (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 65mohm a 8,5A, 10V, 70mohm a 8,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 12,3nC a 10V, 38nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 470pF a 30V, 2300pF a 30V | |
Potenza - Max | 3W (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-PowerTDFN | |
Contenitore del fornitore | 8-HSOP | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.38000 | Fr. 2.38 |
| 10 | Fr. 1.63400 | Fr. 16.34 |
| 100 | Fr. 1.13220 | Fr. 113.22 |
| 500 | Fr. 0.95594 | Fr. 477.97 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.79184 | Fr. 1’979.60 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.38000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.57278 |


