Name: HP8M51TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8M51TB1TR-ND
Price: 2.74574 CHF
Availability: InStock

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HP8M51TB1
Codice DigiKey	HP8M51TB1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) HP8M51TB1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HP8M51TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HP8M51TB1
Descrizione	MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 4,5 A (Ta) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-HSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HP8M51TB1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15nC a 10V, 26,2nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 600pF a 50V, 1430pF a 50V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore 8-HSOP
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 4,5A, 10V, 290mohm a 4,5A, 10V	Codice componente base HP8M51

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.54000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.74574

HP8M51TB1