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HS8K11TB | |
|---|---|
Codice DigiKey | HS8K11TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HS8K11TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | HS8K11TB |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 30V 7 A, 11 A 2W A montaggio superficiale HSML3030L10 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | HS8K11TB Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA |
Produttore Rohm Semiconductor | Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,1nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 500pF a 15V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-UDFN piazzola esposta |
Tensione drain/source (Vdss) 30V | Contenitore del fornitore HSML3030L10 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7 A, 11 A | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 17,9mohm a 7A, 10V |
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In magazzino: 186
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.83000 | Fr. 0.83 |
| 10 | Fr. 0.52200 | Fr. 5.22 |
| 100 | Fr. 0.34030 | Fr. 34.03 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.19179 | Fr. 575.37 |
| 6’000 | Fr. 0.17676 | Fr. 1’060.56 |
| 9’000 | Fr. 0.16910 | Fr. 1’521.90 |
| 15’000 | Fr. 0.16049 | Fr. 2’407.35 |
| 21’000 | Fr. 0.15677 | Fr. 3’292.17 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.83000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.89723 |
