Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 0.8648 CHF
Availability: InStock

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HS8K11TB
Codice DigiKey	HS8K11TBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) HS8K11TBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	HS8K11TB
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 7 A, 11 A 2W A montaggio superficiale HSML3030L10
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HS8K11TB Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	7 A, 11 A
RDSon (max) a Id, Vgs	17,9mohm a 7A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	11,1nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	500pF a 15V
Potenza - Max	2W
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-UDFN piazzola esposta
Contenitore del fornitore	HSML3030L10
Codice componente base	HS8K11

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)